像素隔离技术，像素过滤器

据财经行业消息2023年11月30日消息，根据国家知识产权局公告，台积电申请了名为“图像传感器结构及形成方法”的项目。公开号为CN117133781A，申请日为2023年5月。

专利摘要显示，本申请提供一种图像传感器结构及其形成方法。揭示了半导体结构。半导体结构包括多个像素以及由深沟槽隔离结构分隔开的相邻像素。在实施例中，一种形成半导体结构的方法包括在衬底上外延生长p型半导体层；以及所述n型半导体层中形成有p型阱，所述p型阱围绕所述n型掺杂区；形成沟槽，第一沟槽延伸穿过n、p型半导体层以及围绕p型阱的p型半导体层，在第一沟槽中形成第一隔离结构。

本文来自金融界。

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